AlN-Keramiksubstrate werden zum thermischen Standard für 5G-Basisstationen bei 230 W/(m·K)
2025-05-11
In 5G-Makro- und -Kleinzellen arbeiten HF-Leistungsverstärker und -Filter bei hoher Frequenz und Leistung, was sie extrem empfindlich sowohl gegenüber der thermischen Leistung als auch gegenüber dielektrischen Verlusten macht. Konventionelles Al₂O₃ erfüllt oft nicht beide Anforderungen gleichzeitig.
AlN-Keramiksubstrate liefern eine Wärmeleitfähigkeit von bis zu 230 W/(m·K) mit einem dielektrischen Verlust von nur <0,0005 bei 10 GHz. Sie leiten Wärme effizient von der Chip-Schnittstelle ab und erhalten gleichzeitig die Signalintegrität, wodurch der thermische Widerstand des HF-PA auf etwa 0,3 K/W reduziert wird.
Der Einsatz von AlN-Substraten in 5G-Basisstationen senkt die Sperrschichttemperaturen erheblich, wodurch es einfacher wird, die Ausgangsleistung und Linearität aufrechtzuerhalten, während gleichzeitig mehr HF-Kanäle in das gleiche Schrankvolumen integriert werden können, um die Standortkapazität zu erhöhen.
Wenn „hohe Leistung + hohe Frequenz + hohe Dichte“ alle erforderlich sind, sollte AlN die Standard-Substratwahl für HF-Module sein, wobei Layout- und Kühlungsoptimierung auf dieser Grundlage aufgebaut werden.