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Firmennachrichten über CTE-matched Si3N4SiC Stack schneidet 800 V E-Drive Schnittstellen Ausfälle um 90%
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CTE-matched Si3N4SiC Stack schneidet 800 V E-Drive Schnittstellen Ausfälle um 90%

2026-01-12
Latest company news about CTE-matched Si3N4SiC Stack schneidet 800 V E-Drive Schnittstellen Ausfälle um 90%

Auf 800-V-Plattformen arbeiten SiC-Bauelemente bei hohen Temperaturen und hohen dI/dt-Werten, was die thermische Belastung an den Package-Schnittstellen erheblich verstärkt und zu vorzeitigem Ausfall von Leistungsmodulen führt.

Si₃N₄-Substrate weisen einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von etwa 3,2×10⁻⁶/°C auf, der sehr gut zu SiC mit ~4,0×10⁻⁶/°C passt. Thermische Zyklen-Tests zeigen, dass der Ersatz von herkömmlichen Substraten durch Si₃N₄ die Ausfälle durch Lotrisse und Delamination der Schnittstellen um etwa 90 % reduziert und die Lebensdauer beim Power-Cycling erheblich verlängert.

Für EV-Marken, die 800-V-Architekturen vorantreiben, reduziert diese CTE-Anpassung auf Materialebene den Bedarf an aggressivem Derating und ermöglicht es Ingenieuren, mehr Leistungsspielraum in derselben Package-Größe freizusetzen und gleichzeitig die Zuverlässigkeit über die Fahrzeuggarantiezeit zu gewährleisten.

Bei der Migration von 400 V auf 800 V reicht es nicht aus, sich nur auf die SiC-Bauelementeparameter zu konzentrieren. Die Substratauswahl muss unter Berücksichtigung der CTE-Kompatibilität, der Zuverlässigkeit der Schnittstellen und der thermischen Leistung gemeinsam überdacht werden.

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