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Firmennachrichten über Si₃N₄-Substrate steigern OBC-Designs und kombinieren geringe dielektrische Verluste mit 3C-Schnellladung
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Si₃N₄-Substrate steigern OBC-Designs und kombinieren geringe dielektrische Verluste mit 3C-Schnellladung

2026-01-12
Latest company news about Si₃N₄-Substrate steigern OBC-Designs und kombinieren geringe dielektrische Verluste mit 3C-Schnellladung

On-Board-Ladegeräte (OBCs) bewegen sich in Richtung einer höheren Leistungsdichte und einer höheren Schaltfrequenz und erfüllen gleichzeitig die strengen Anforderungen an Effizienz und Größe des 3C-Schnellladens.

Si3N4-Substrate haben eine dielektrische Konstante von etwa 7,5 und einen geringen dielektrischen Verlust, wodurch die Signalverzögerung und der Energieverlust in Hochfrequenzstufen reduziert werden.,Sie helfen, die OBC-Temperaturen während des 3C-Schnellladens unter Kontrolle zu halten und gleichzeitig die Zuverlässigkeit des Pakets zu erhalten.

Dies ermöglicht es den OEMs, leistungsfähige OBCs in begrenzten Raum unter der Motorhaube zu integrieren und "schnelleres Laden ohne größere Größe oder verkürzte Lebensdauer" zu erreichen.

Für Marken, die Schnellladungserfahrung als wichtiges Verkaufsargument sehen,Die Behandlung von Si3N4-Substraten als grundlegende Plattformkomponente und nicht als optionales Zusatzmaterial trägt dazu bei, einen dauerhaften technischen Vorteil zu erzielen..

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