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Was macht hochreine Al2O3-Keramik für Halbleiterverarbeitungsgeräte geeignet?

2026-10-10
Latest company news about Was macht hochreine Al2O3-Keramik für Halbleiterverarbeitungsgeräte geeignet?

Innerhalb einer Waferfabrik wird die Kontamination in Teilen pro Milliarde gemessen.Deshalb ist die ReinheitAl2O3-KeramikDie Anwendungen der neuen Techniken werden in den folgenden Bereichen eingesetzt:Aluminiumkeramik mit hoher ReinheitfürHalbleiterverarbeitungsgeräte, und welche Zahlen ein Käufer überprüfen sollte.

Die Frage des Kunden: "Warum nicht einfach Standard-Alumina?"

Standard 96% Aluminiumoxid ist ein feiner elektrischer Isolator, aber es enthält eine glasartige Bindungsphase mit Natrium, Kalzium und anderen Spurenelementen.Diese Elemente wandern aus der Oberfläche und kontaminieren die Wafer.Ein hochreinerKeramik aus Aluminiumoxid- typischerweise 99,5% oder besser - Alpha-Alumina - entfernt das Bindemittel, so dass die Oberfläche chemisch still bleibt, auch bei aggressiven Fluor- und Chlorchemikalien.

Warum Reinheit und Dichte zusammen zählen

Der Körper muss auch vollständig dicht sein, ohne offene Porosität.Eine dichteDie reine Mikrostruktur bietet gleich drei Vorteile: keine Ausgasung, minimale Partikelgenerierung und hoher elektrischer Widerstand, der auch bei Prozesstemperatur hoch bleibt.Hohe Biegfestigkeit ermöglicht dünne, flache Geometrien, die die Wafer ohne Absacken stützen.

Wie man spezifiziert

  • Festlegen einer Mindestreinheit (99,5% ist ein gemeinsamer Einstiegspunkt) und einer maximalen Gesamtunreinheit.
  • Es ist keine offene Porosität und eine gemessene Dichte erforderlich, die der theoretischen Dichte nahe kommt.
  • Definition der Oberflächenveredelung nach dem Verfahren: Häufig genügt die Veredelung, während Plasmabearbeitungsteile eine polierte Oberfläche mit geringer Rauheit benötigen.
  • Die Flachheit der Kontaktflächen der Wafer ist so anzugeben, dass die Filmdicke gleichmäßig bleibt.
  • Überprüfungsdaten und Reinraumverpackungen vereinbaren, bevor der erste Artikel freigegeben wird.

Anwendungen

Typische Teile sindmit einer Breite von mehr als 30 mm,,mit einer Breite von mehr als 20 mm,undAluminiumwaffen und Substrate für Dünnschichtkreise, alle nach Zeichnung mit Seriennummern hergestellt.

Referenz-Spezifikation für hohe Reinheit

Parameter Wert Grundlage
Aluminiumgehalt 990,5% Al2O3 (P)
Gesamte Verunreinigungen < 5000 ppm (P)
Dichte 30,92 g/cm3 (P)
Offene Porosität 0% (P)
Beugfestigkeit 380 MPa (P)
Volumenwiderstand (20 °C) > 10^14 Ω·cm (P)
Oberflächenrauheit (poliert) Ra 0,1 μm (P)
Partikelanteil auf dem fertigen Teil Überprüfung durch Reinraumprüfung (C)

Basisschlüssel: (P) Spezifikation der Produktseite; (T) typischer Materialwert; (C) durch Reinraumpartikel- und Abgasprüfung zu bestätigen.

Häufig gestellte Fragen

Ist 99,5% Reinheit genug für Plasma-Etsch?

Für viele Ätzer- und Ablagerungswerkzeuge, ja, vorausgesetzt, der Körper ist vollständig dicht.

Warum ist Null offene Porosität angegeben?

Eine vollständig dichte Fläche schützt die Druckstabilität der Kammer und die Sauberkeit der Wafer.

Können Sie ein OEM-Teil ohne Zeichnung vergleichen?

Ja, eine Probe oder ein verifizierter 3D-Scan reicht aus, um die Geometrie zu reproduzieren.

Über den einzelnen Teil hinaus

Eine empfindliche Platte arbeitet als Teil einer Montage, so dass ihre Flachheit, Dicke Einheitlichkeit und Montage Eigenschaften müssen die Paarung Hardware und der Roboter, der die Wafer laden passt.Die Konsistenz von Charge zu Charge ist auch wichtiger als jeder einzelne Messwert.Ein Prozeß, der auf ein Los abgestimmt ist, wird abgleiten, wenn das nächste Los eine andere Dichte oder Veredelung aufweist.Al2O3 KeramikEin Teil mit Serienflächigkeit und Fertigungsdaten, sauberer Verpackung und einer nachvollziehbaren Materialpartie entfernt die Vermutungen von der Qualifizierung und verkürzt den Vorgang zur Produktion.

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